خواص فازی یک شبه بلور دو دوره ای متشکل از مواد تک منفی
نویسندگان
چکیده
در این مقاله، خواص فازی امواج بازتابی از شبه بلورهای دو دوره ای یک بعدی متشکل از مواد تک منفی، با استفاده از روش ماتریس انتقال بررسی شده است. مشاهده می شود که با افزایش شمارنده مولد دو دوره ای، گاف باند همه سویه بزرگی در محدوده بسامدی تک منفی، تشکیل می شود. ما مطالعاتمان را به محدوده بسامدی این گاف باند پهن، محدود می کنیم. نتایج نشان می دهند که مقدار اختلاف فاز بین دو موج قطبیده الکتریکی عرضی و مغناطیسی عرضی بازتابی از این گاف باند، در محدوده بسامدی پهن باندی، مستقل از شمارنده مولد است. همچنین، اختلاف فاز بازتابی با افزایش زاویه تابش، افزایش می یابد و در قسمت های مرکزی گاف باند، تقریبا ثابت باقی می ماند. به علاوه، مقدار اختلاف فاز در دو نقطه در نزدیکی لبه های گاف باند، علی رغم تغییر زاویه تابش، تقریباً به صفر می رسد. با توجه به این ویژگی ها، این ساختار می تواند به عنوان جبران کننده فاز پهن باند، بازتابگر همگام همه سویه و قطبشگر به کار رود.
منابع مشابه
خواص فازی یک شبه بلور دو دورهای متشکل از مواد تک منفی
In this paper, the phase properties of waves reflected from one-dimensional double-periodic quasi-crystals consisting of single-negative materials are investigated using transfer matrix method. It is observed that, by increasing the double-periodic generation number, a large omnidirectional band gap is created in the single-nagative frequency range. We limit our studies to the frequency range o...
متن کاملمدل یک پارچه استوار دو مسأله انتخاب سهام تک دوره ای
در این مقاله نحوه به کارگیری رویکرد بهینه سازی استوار در. مسأله انتخاب سهام (تک دوره ای) ارایه می شود. هم چنین نشان داده می شود که چگونه مدل استوار بر اساس تابع مطلوبیت سرمایه گذارو عدم قطعیت نرخ بازگشت سهام، منطبق می شود. این مدل می تواند مبتنی بر انتخاب مناسبی از بدنه نرمی و شعاع فضای (پارامترهای) غیر قطعی، تنظیم شود. ارزیابی جواب های تولید شده از نرم های متفاوت Lp با تولید 10000 نمونه تصادفی...
متن کاملخواص مغناطو - اپتیکی تک بلور gap
وابستگی دمایی مغناطو - اپتیکی و مغناطو - رسانش نوری در بازه 200 تا 300 کلوین اندازه گیری شده است. یخچال اپتیکی مورد اندازه گیری ساخت آزمایشگاه محلی است. برای این نمونه، گاف انرژی اندازه گیری شده در دمای اتاق ev 2.211 به دست آمد. ضریب دمایی گاف انرژی اندازه گیری شده با روش جذب نوری ev/k -5.48×10-4 و با اندازه گیری رسانش نوری ev/k -4.90×10-4 به دست آمد. اندازه گیری ضریب میدان مغناطیسی گاف انرژی ن...
متن کاملتونل زنی فوتونی در بلورهای فوتونیکی متا مواد تک منفی
در این مقاله ما تونل زنی فوتونی را از طریق ساختارFTIRبررسی میکنیم ساختارFTIRشامل بلورهای فوتونیکی مواد تک منفی یک بعدی است که بوسیله تکرار دوره ای و تناوبی از لایه هایو PIMNIM تشکیل شده است. ما یک دوره از لایه های مواد با ضریب شکست مثبت ومواد با ضریب شکست منفی را همانند یک ساختار در نظر می گیریم.وتونل زنی را برای این حالت بررسی میکنیم. سپس ما تغییرات بعد ازتونل زنی را بیشتر تحلیل می کنیم و زمان...
متن کاملرشد تک بلور پیزوالکتریک KDP
The piezoelectric crystals conven mechanical energy inlo clcclrical energy and vice versa. This propeny has many applications in science and technology. In this paper we reporl the growth of KDP single crystal OUI of a super-saturated KDP liquid by controling the temperature and the pH. We studied the effect of the variation of the pH and temperature on the KDP single crystal. We found th...
متن کاملبررسی نوار گاف کریستال های فوتونی سه لایه ای متشکل از مواد با ضریب شکست منفی
بلورهای فوتونی ساختارهای طبیعی یا مصنوعی هستند که در آن ها ضریب شکست به طور تناوبی تغییر می کند. این ساختارها اجازه انتشار امواج الکترومغناطیسی را درون ناحیه فرکانسی معینی نمی دهند بنابراین نور در این ناحیه کاملاً منعکس می شود. این نواحی ممنوعه گاف نوار فوتونی نامیده می شود. بلورهای فوتونی یک بعدی ساختارهای دی الکتریکی هستند که خصوصیات اپتیکی-شان در یک جهت تغییر می کند، این جهت محور تناوبی نامید...
15 صفحه اولمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
عنوان ژورنال:
پژوهش فیزیک ایرانجلد ۱۶، شماره ۴، صفحات ۳۸۳-۳۸۸
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023